四探針低阻/接觸電阻測(cè)試儀參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍：10-5～2×105Ω/□   

2.電阻率范圍：10-6～2×106Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.PC軟件界面：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率、電阻率、壓強(qiáng)等.

7.測(cè)試方式: 四探針測(cè)量（體電阻率）和四端法（接觸電阻測(cè)量）

8.壓力范圍：0-1000kg（0-4MPa）.

9. 樣品形狀為正方形（鍍金電極為5cm×5cm)，面積為25cm2（其他規(guī)格定制）

10.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

11. 加壓方式：自動(dòng)

12. 樣品高度量程和精度：高度測(cè)量范圍：0.001-10.001mm，測(cè)量分辨率0.001mm

13.溫濕度范圍：常溫-50度；濕度：20%-98%

14.恒壓時(shí)間：0-99.9S

15.標(biāo)配標(biāo)準(zhǔn)件：a.標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)電阻1個(gè)；b.標(biāo)準(zhǔn)高度校準(zhǔn)件1個(gè)

16. 工作電源：220±10% 50HZ/60HZ

四探針低阻/接觸電阻測(cè)試儀步驟及流程

　　1. 開啟電源，預(yù)熱5分鐘.

　　2. 裝配好探頭和測(cè)試平臺(tái).

　　3. 設(shè)定所需參數(shù).

　　4. 測(cè)量樣品

　　5. 導(dǎo)出數(shù)據(jù).

　　優(yōu)點(diǎn)描述：

　　1. 自動(dòng)量程

　　2. 準(zhǔn)確穩(wěn)定性.

　　3. 雙電組合測(cè)試方法

　　4. 標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器

　　5. PC軟件運(yùn)行

　　6. 同時(shí)顯示電阻、電阻率、電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

　　7. 可顯示5位數(shù)字.

　　8. 中、英文界面

覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻 半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)，本機(jī)配置232電腦接口及USB兩種接口，能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，比市場(chǎng)上其他普通的四探針測(cè)試方法更加完善和進(jìn)步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測(cè)量，更加準(zhǔn)確.硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻 半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率 導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等。