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雙電四探針電阻測試儀符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

四探針低阻率檢測儀可以測試到1uΩ方阻值，采用芯片控制，恒流輸出，液晶顯示，自動數(shù)據(jù)測量，系數(shù)補償，參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量.提供中文或英文語言版本.

四探針電阻測定儀硅片電阻率測量的國際標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》. GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

方阻計 四探針測試儀適用范圍： 四探針法測試的 導(dǎo)電性新材料、鋁箔、銅箔等具有類似性質(zhì)要求測量的材料.

四探針低電阻率測試儀比較-電流計——計算電阻或電導(dǎo)的*百分比誤差是指Rs,電流計偏移或放大器讀數(shù)的百分比誤差總和,同時假設(shè)電流靈敏度與偏移無關(guān)。對于新式電流計(直流電流放大器可能發(fā)生1/3刻度偏移),后者的假設(shè)精度到±2%有用范圍之內(nèi)(在1/10滿刻度偏移之上)。Rs的誤差取決于采用的電阻器類型,但是1MΩ電阻的誤差極限低至0.1%是適用的。對于滿刻度偏移,采用靈敏度為10nA的電流計或直流電流放